在真空條件下
，利用氣體放電使氣體離化
，在氣體離子轟擊作用的同時
，把蒸發物或其反應物蒸發在基片上
。離子輔助沉積實際上是在電子束蒸發的基礎上
，引入離子轟擊
，達到增加蒸發膜料動能的效果
，相比電子束和熱蒸發
，膜層具有更高的密度。此外
，氣體離子束可以用於清潔和刻蝕基底表麵
，從而增強膜層的牢固度
。
通過引入離子輔助
，膜層具有更高的牢固度，並帶來更好的膜層機械性能
，更好的環境可靠性以及更低的膜層散射
。
但離子輔助沉積並不適用於所有的材料
，例如MgF2等在沉積過程可能會被分解
。
相比EB工藝
，綜合考慮了成本
，光譜穩定性和可靠性等因素
。
相比IBS工藝
，具有更高的散射和吸收損耗
。
